Компания Samsung Electronics, используя недавно освоенный 50-нм техпроцесс, сумела достичь самой высокой плотности хранения данных - чипы новой DDR3-памяти имеют плотность 4 Гбит.
Новая память Samsung 4Gbit DDR3 будет применяться, например, для создания 16-Б модулей памяти RDIMM, используемой в серверах, а также для сборки восьми гигабайтных модулей небуферизированной памяти DIMM, которую можно использовать в рабочих станциях и пользовательских ПК. Усовершенствованная технология упаковки чипов позволяет создавать и более ёмкие модули до 32 ГБ. Разработчиком отмечается, что 4-Гбит память Samsung работает при напряжении питания всего 1,35 В, что ещё ниже, чем у типичной памяти этого типа (1,5 В). По сравнению со стандартной 2-Гбит памятью новинка потребляет до 40 процентов меньше энергии. Пропускная способность составляет 1,6 Гбит/с.
Такая плотность памяти и малое потребление энергии в первую очередь востребовано в серверах. Это позволит сократить стоимость датацентров и стоимость их обслуживания, и повысить их общую эффективность работы. Кроме того, возможно уже в недалеком будущем такие объемы модулей памяти будут востребованы в играх также как и сегодня 2 и 4-гб.